Vishay IRFD9120PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.29мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
3.37мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 295,02
тг 295,02 Each (ex VAT)
1
тг 295,02
тг 295,02 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 295,02 |
| 25 - 99 | тг 250,32 |
| 100 - 249 | тг 232,44 |
| 250 - 499 | тг 196,68 |
| 500+ | тг 174,33 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.29мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
3.37мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor