Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
5мм
Ширина
6.29мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
3.37мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 24 | P.O.A. |
25 - 99 | P.O.A. |
100 - 249 | P.O.A. |
250 - 499 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
5мм
Ширина
6.29мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
3.37мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре