Vishay IRFD9110PBF MOSFET

Код товара RS: 541-0749Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFD9110PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

700 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,7 нКл при 10 В

Ширина

6.29мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

3.37мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
P-channel MOSFET,IRFD9110 0.7A 100V
P.O.A.Each (ex VAT)

тг 594,51

тг 594,51 Each (ex VAT)

Vishay IRFD9110PBF MOSFET
Select packaging type

тг 594,51

тг 594,51 Each (ex VAT)

Vishay IRFD9110PBF MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 594,51
25 - 99тг 250,32
100 - 249тг 214,56
250 - 499тг 187,74
500+тг 183,27
Вас может заинтересовать
P-channel MOSFET,IRFD9110 0.7A 100V
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

700 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,7 нКл при 10 В

Ширина

6.29мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

3.37мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
P-channel MOSFET,IRFD9110 0.7A 100V
P.O.A.Each (ex VAT)