Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF

Код товара RS: 541-0733Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFD9014PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Ширина

6.29мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

3.37мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
P-channel MOSFET,IRFD9014 1.1A 60V
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 286,08

тг 286,08 Each (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
Select packaging type

тг 286,08

тг 286,08 Each (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 286,08
25 - 99тг 227,97
100 - 249тг 205,62
250 - 499тг 196,68
500+тг 169,86
Вас может заинтересовать
P-channel MOSFET,IRFD9014 1.1A 60V
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Ширина

6.29мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

3.37мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
P-channel MOSFET,IRFD9014 1.1A 60V
P.O.A.Each (ex VAT)