Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
1.1A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
HVMDIP
Серия
IRFD9014
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
500mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.3W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
12nC
Прямое напряжение (Vf)
-5.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
6.29 mm
Материал каски/сварочной маски
3.37мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип P
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
1.1A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
HVMDIP
Серия
IRFD9014
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
500mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.3W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
12nC
Прямое напряжение (Vf)
-5.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
6.29 mm
Материал каски/сварочной маски
3.37мм
Длина
5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
