P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD9010PBF

Код товара RS: 903-4702Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFD9010PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.9мм

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.8мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

3.8мм

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
60V 1.100A HEXDIP
60V 1.100A HEXDIPБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD9010PBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD9010PBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Вас может заинтересовать
60V 1.100A HEXDIP
60V 1.100A HEXDIPБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.9мм

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.8мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

3.8мм

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
60V 1.100A HEXDIP
60V 1.100A HEXDIPБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)