Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
490 мА
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
1,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.29мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В
Высота
3.37мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
490 мА
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
1,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.29мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В
Высота
3.37мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре