Vishay N-Channel MOSFET, 1.4 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB IRFBG20PBF

Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
11 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
54 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 813,54
тг 813,54 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 813,54
тг 813,54 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 24 | тг 813,54 |
25 - 99 | тг 433,59 |
100 - 249 | тг 375,48 |
250 - 499 | тг 330,78 |
500+ | тг 290,55 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
11 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
54 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре