N-Channel MOSFET, 1.4 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBG20PBF

Код товара RS: 542-9563PБренд: VishayПарт-номер производителя: IRFBG20PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

54 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.41мм

Ширина

4.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.01мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay IRFBG20PBF MOSFET
Vishay IRFBG20PBF MOSFETБренд: Vishay
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.4 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBG20PBF
Select packaging type

Производственная упаковка (Лента )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.4 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBG20PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Лента )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.
Вас может заинтересовать
Vishay IRFBG20PBF MOSFET
Vishay IRFBG20PBF MOSFETБренд: Vishay
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

54 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.41мм

Ширина

4.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.01мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay IRFBG20PBF MOSFET
Vishay IRFBG20PBF MOSFETБренд: Vishay
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)