Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF

Код товара RS: 541-1124Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFBE30PBFDistrelec Article No.: 17115208
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

78 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 572,16

тг 572,16 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 572,16
2тг 1 144,32
3тг 1 716,48
4тг 2 288,64
5тг 2 860,80
6тг 3 432,96
7тг 4 005,12
8тг 4 577,28
9тг 5 149,44
10тг 5 721,60
11тг 6 293,76
12тг 6 865,92
13тг 7 438,08
14тг 8 010,24
15тг 8 582,40

тг 572,16

тг 572,16 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 572,16
2тг 1 144,32
3тг 1 716,48
4тг 2 288,64
5тг 2 860,80
6тг 3 432,96
7тг 4 005,12
8тг 4 577,28
9тг 5 149,44
10тг 5 721,60
11тг 6 293,76
12тг 6 865,92
13тг 7 438,08
14тг 8 010,24
15тг 8 582,40

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 572,16
25 - 99тг 460,41
100 - 249тг 415,71
250 - 499тг 371,01
500+тг 317,37
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

78 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)