Vishay N-Channel MOSFET, 1.8 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE20PBF

Код товара RS: 542-9535Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFBE20PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

54 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBE20 1.8A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE20 1.8A 800VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

тг 670,50

тг 670,50 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 1.8 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE20PBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 670,50
2тг 1 341,00
3тг 2 011,50
4тг 2 682,00
5тг 3 352,50
6тг 4 023,00
7тг 4 693,50
8тг 5 364,00
9тг 6 034,50
10тг 6 705,00
11тг 7 375,50
12тг 8 046,00
13тг 8 716,50
14тг 9 387,00
15тг 10 057,50

тг 670,50

тг 670,50 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 1.8 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE20PBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 670,50
2тг 1 341,00
3тг 2 011,50
4тг 2 682,00
5тг 3 352,50
6тг 4 023,00
7тг 4 693,50
8тг 5 364,00
9тг 6 034,50
10тг 6 705,00
11тг 7 375,50
12тг 8 046,00
13тг 8 716,50
14тг 9 387,00
15тг 10 057,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 670,50
25 - 99тг 317,37
100 - 249тг 290,55
250 - 499тг 277,14
500+тг 272,67
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBE20 1.8A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE20 1.8A 800VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

54 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFBE20 1.8A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE20 1.8A 800VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)