Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
60 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 594,51
тг 594,51 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 594,51
тг 594,51 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 594,51 |
| 25 - 99 | тг 522,99 |
| 100 - 249 | тг 509,58 |
| 250 - 499 | тг 478,29 |
| 500+ | тг 420,18 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
60 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
