Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
74 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.7мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.41мм
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
74 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.7мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.41мм
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре