Vishay N-Channel MOSFET, 8.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220AB IRFB9N65APBF

Код товара RS: 541-1938Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFB9N65APBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

930 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

167 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

48 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650V
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

тг 952,11

тг 952,11 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 8.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220AB IRFB9N65APBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 952,11
2тг 1 904,22
3тг 2 856,33
4тг 3 808,44
5тг 4 760,55
6тг 5 712,66
7тг 6 664,77
8тг 7 616,88
9тг 8 568,99
10тг 9 521,10
11тг 10 473,21
12тг 11 425,32
13тг 12 377,43
14тг 13 329,54
15тг 14 281,65

тг 952,11

тг 952,11 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 8.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220AB IRFB9N65APBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 952,11
2тг 1 904,22
3тг 2 856,33
4тг 3 808,44
5тг 4 760,55
6тг 5 712,66
7тг 6 664,77
8тг 7 616,88
9тг 8 568,99
10тг 9 521,10
11тг 10 473,21
12тг 11 425,32
13тг 12 377,43
14тг 13 329,54
15тг 14 281,65

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 952,11
25 - 99тг 764,37
100 - 249тг 697,32
250 - 499тг 630,27
500+тг 563,22
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650V
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8,5 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

930 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

167 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

48 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650V
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)