Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
43 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 330,78
тг 330,78 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 330,78
тг 330,78 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 330,78 |
| 25 - 99 | тг 259,26 |
| 100 - 249 | тг 232,44 |
| 250 - 499 | тг 205,62 |
| 500+ | тг 174,33 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
43 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
