Vishay P-Channel MOSFET, 6.8 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF9640STRRPBF

Код товара RS: 815-2676Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRF9640STRRPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 5 855,70

тг 585,57 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 6.8 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF9640STRRPBF
Select packaging type

тг 5 855,70

тг 585,57 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 6.8 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF9640STRRPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 585,57тг 5 855,70
100 - 190тг 572,16тг 5 721,60
200 - 390тг 563,22тг 5 632,20
400 - 790тг 549,81тг 5 498,10
800+тг 522,99тг 5 229,90

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor