Vishay IRF9610PBF MOSFET

Код товара RS: 542-9462Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRF9610PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
P-channel MOSFET,IRF9610 1.8A 200V
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 800,13

тг 800,13 Each (ex VAT)

Vishay IRF9610PBF MOSFET
Select packaging type

тг 800,13

тг 800,13 Each (ex VAT)

Vishay IRF9610PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 800,13
25 - 99тг 424,65
100 - 249тг 371,01
250 - 499тг 321,84
500+тг 290,55
Вас может заинтересовать
P-channel MOSFET,IRF9610 1.8A 200V
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
P-channel MOSFET,IRF9610 1.8A 200V
P.O.A.Each (ex VAT)