Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
61 нКл при 10 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 4 671,15
тг 934,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 4 671,15
тг 934,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 934,23 | тг 4 671,15 |
| 25 - 95 | тг 724,14 | тг 3 620,70 |
| 100 - 245 | тг 657,09 | тг 3 285,45 |
| 250 - 495 | тг 612,39 | тг 3 061,95 |
| 500+ | тг 603,45 | тг 3 017,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
61 нКл при 10 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
