Vishay P-Channel MOSFET, 19 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRF9540SPBF

Код товара RS: 650-4205Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRF9540SPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

19 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

61 нКл при 10 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 4 671,15

тг 934,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 19 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRF9540SPBF
Select packaging type

тг 4 671,15

тг 934,23 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 19 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRF9540SPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 934,23тг 4 671,15
25 - 95тг 724,14тг 3 620,70
100 - 245тг 657,09тг 3 285,45
250 - 495тг 612,39тг 3 061,95
500+тг 603,45тг 3 017,25

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

19 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

61 нКл при 10 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor