Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,7 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.41мм
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 2 480,85
тг 496,17 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 480,85
тг 496,17 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 496,17 | тг 2 480,85 |
| 25 - 95 | тг 447,00 | тг 2 235,00 |
| 100 - 245 | тг 397,83 | тг 1 989,15 |
| 250 - 495 | тг 375,48 | тг 1 877,40 |
| 500+ | тг 366,54 | тг 1 832,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,7 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.41мм
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
