P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRF9510SPBF

Код товара RS: 650-4126Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRF9510SPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,7 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.41мм

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 2 480,85

тг 496,17 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRF9510SPBF
Select packaging type

тг 2 480,85

тг 496,17 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRF9510SPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 496,17тг 2 480,85
25 - 95тг 447,00тг 2 235,00
100 - 245тг 397,83тг 1 989,15
250 - 495тг 375,48тг 1 877,40
500+тг 366,54тг 1 832,70

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,7 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.41мм

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor