Vishay N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK IRF830ASPBF

Код товара RS: 650-4110Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRF830ASPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

9.65мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 2 324,40

тг 464,88 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK IRF830ASPBF
Select packaging type

тг 2 324,40

тг 464,88 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK IRF830ASPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 464,88тг 2 324,40
25 - 95тг 371,01тг 1 855,05
100 - 245тг 330,78тг 1 653,90
250 - 495тг 326,31тг 1 631,55
500+тг 317,37тг 1 586,85

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

9.65мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor