Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
9.65мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 2 324,40
тг 464,88 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 324,40
тг 464,88 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 464,88 | тг 2 324,40 |
| 25 - 95 | тг 371,01 | тг 1 855,05 |
| 100 - 245 | тг 330,78 | тг 1 653,90 |
| 250 - 495 | тг 326,31 | тг 1 631,55 |
| 500+ | тг 317,37 | тг 1 586,85 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
9.65мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
