Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Ширина
9.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Ширина
9.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре