Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
14 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
280 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
68 нКл при 10 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
14 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
280 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
68 нКл при 10 В
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
