Vishay IRF640PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
70 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 24 079,89
тг 24 079,89 Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
1
тг 24 079,89
тг 24 079,89 Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 24 079,89 |
| 5 - 9 | тг 23 619,48 |
| 10 - 19 | тг 23 168,01 |
| 20 - 49 | тг 22 725,48 |
| 50+ | тг 22 287,42 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
70 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor