Vishay N-Channel MOSFET, 3.3 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB IRF610PBF

Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
36 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,2 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 227,97
тг 227,97 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 227,97
тг 227,97 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 227,97 |
| 5 - 19 | тг 223,50 |
| 20 - 49 | тг 183,27 |
| 50 - 99 | тг 174,33 |
| 100+ | тг 169,86 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
36 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,2 нКл при 10 В
Ширина
4.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.41мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре