Vishay N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRF510SPBF

Код товара RS: 543-1645Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRF510SPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,3 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRF510S 5.6A 100V
N-channel MOSFET,IRF510S 5.6A 100VБренд: Vishay
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

тг 1 318,65

тг 263,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRF510SPBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 318,65
10тг 2 637,30
15тг 3 955,95
20тг 5 274,60
25тг 6 258,00
30тг 7 509,60
35тг 8 761,20
40тг 10 012,80
45тг 11 264,40
50тг 12 516,00
55тг 13 767,60
60тг 15 019,20
65тг 16 270,80
70тг 17 522,40
75тг 18 774,00

тг 1 318,65

тг 263,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRF510SPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 318,65
10тг 2 637,30
15тг 3 955,95
20тг 5 274,60
25тг 6 258,00
30тг 7 509,60
35тг 8 761,20
40тг 10 012,80
45тг 11 264,40
50тг 12 516,00
55тг 13 767,60
60тг 15 019,20
65тг 16 270,80
70тг 17 522,40
75тг 18 774,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 263,73тг 1 318,65
25 - 95тг 250,32тг 1 251,60
100 - 245тг 245,85тг 1 229,25
250 - 495тг 236,91тг 1 184,55
500+тг 232,44тг 1 162,20
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRF510S 5.6A 100V
N-channel MOSFET,IRF510S 5.6A 100VБренд: Vishay
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,3 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRF510S 5.6A 100V
N-channel MOSFET,IRF510S 5.6A 100VБренд: Vishay
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)