N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay 2N7002K-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,4 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 100 - 100 | P.O.A. |
| 200 - 400 | P.O.A. |
| 500 - 900 | P.O.A. |
| 1000 - 2900 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,4 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре