Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Vishay Siliconix P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK SQD40031EL_GE3

Код товара RS: 178-3715Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SQD40031EL_GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

2.38мм

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

186 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

6.22мм

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay Siliconix P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK SQD40031EL_GE3

P.O.A.

Vishay Siliconix P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK SQD40031EL_GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

2.38мм

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

186 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

6.22мм