N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3

Код товара RS: 178-3708Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SQ2364EES-T1_GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.46V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±8 V

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.46V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±8 V

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China