Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 А (канал 1), 60 А (канал 2)

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAIR 6 x 5

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Максимальное рассеяние мощности

26,6 Вт (канал 1), 60 Вт (канал 2)

Максимальное напряжение затвор-исток

+16 (канал 2) В, +20 (канал 1) В, -12 (канал 2) В, -16 (канал 1) В.

Ширина

6мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14,6 нКл (канал 1) при 10 В, 62 нКл (канал 2) при 10 В

Высота

0.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V