Vishay Siliconix SiZF906ADT-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 178-3704Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SiZF906ADT-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAIR 6 x 5F

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

6мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

100 нКл (канал 2) при 10 В, 24,5 нКл (канал 1) при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.7мм

P.O.A.

Vishay Siliconix SiZF906ADT-T1-GE3 MOSFET

P.O.A.

Vishay Siliconix SiZF906ADT-T1-GE3 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAIR 6 x 5F

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

6мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

100 нКл (канал 2) при 10 В, 24,5 нКл (канал 1) при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.7мм