Vishay Siliconix SiSH129DN-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

52,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

47,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.15мм

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China