Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SiS110DN-T1-GE3

Код товара RS: 178-3962Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SiS110DN-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

14,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

24 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,5 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.15мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SiS110DN-T1-GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SiS110DN-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

14,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

24 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,5 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.15мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China