Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

14,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

24 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,5 нКл при 10 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China