Vishay Siliconix SiRA62DP-T1-RE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SO-8

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

65,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +16 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

61,5 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.07мм

Страна происхождения

China