Vishay Siliconix SiRA10BDP-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Максимальное рассеяние мощности

43 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

24,1 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C