Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

PowerPAK SO-8DC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

900 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+20 В, +6 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5мм

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

125 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.07мм