Vishay Siliconix SiA110DJ-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SC-70

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

19 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,5 нКл при 10 В

Ширина

1.35мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China