Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

Код товара RS: 178-3901Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SiA106DJ-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SC-70

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

19 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,9 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1мм

Страна происхождения

China

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SC-70

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

19 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,9 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1мм

Страна происхождения

China