Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
29 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.99мм
Типичный заряд затвора при Vgs
105 нКл при 10 В
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
TrenchFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.07мм
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 5 632,20
тг 563,22 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
тг 5 632,20
тг 563,22 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
29 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.99мм
Типичный заряд затвора при Vgs
105 нКл при 10 В
Ширина
5мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
TrenchFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.07мм
Информация о товаре
