P-Channel MOSFET, 28 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay Siliconix SI7469DP-T1-E3

Код товара RS: 873-0976Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: SI7469DP-T1-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

28 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

29 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

105 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

TrenchFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.07мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 5 632,20

тг 563,22 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 28 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay Siliconix SI7469DP-T1-E3

тг 5 632,20

тг 563,22 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 28 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay Siliconix SI7469DP-T1-E3

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

28 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

29 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

105 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

TrenchFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.07мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor