Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Si2319DDS-T1-GE3

Код товара RS: 178-3853Бренд: Vishay SiliconixПарт-номер производителя: Si2319DDS-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Si2319DDS-T1-GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

P.O.A.

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Si2319DDS-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay Siliconix

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

TrenchFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China