Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.04мм

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Серия

TrenchFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.02мм

Страна происхождения

China