Toshiba TPN30008NH,LQ(S MOSFET

Код товара RS: 133-2814Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TPN30008NH,LQ(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

22 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

U-MOSVIII-H

Тип корпуса

TSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

30 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

27 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.1мм

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.85мм

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

P.O.A.

Toshiba TPN30008NH,LQ(S MOSFET

P.O.A.

Toshiba TPN30008NH,LQ(S MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

22 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

U-MOSVIII-H

Тип корпуса

TSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

30 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

27 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.1мм

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.85мм

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba