Toshiba TPN11003NL,LQ(S MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

U-MOSVIII-H

Тип корпуса

TSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

19 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.1мм

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,5 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.85мм

Страна происхождения

Japan