Toshiba TPH8R903NL,LQ(S MOSFET

Код товара RS: 133-2810Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TPH8R903NL,LQ(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

U-MOSVIII-H

Тип корпуса

SOP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

12,7 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

24 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,8 нКл при 10 В

Высота

0.95мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TPH8R903NL,LQ(S MOSFET

P.O.A.

Toshiba TPH8R903NL,LQ(S MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

U-MOSVIII-H

Тип корпуса

SOP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

12,7 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

24 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,8 нКл при 10 В

Высота

0.95мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba