Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
U-MOSVIII-H
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
12,7 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
24 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,8 нКл при 10 В
Высота
0.95мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
U-MOSVIII-H
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
12,7 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
24 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,8 нКл при 10 В
Высота
0.95мм
Прямое напряжение диода
1.2V
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре