Toshiba TPH8R80ANH MOSFET

Код товара RS: 168-7790Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TPH8R80ANH
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

59 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOP Advanced

Серия

TPH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

8,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

61 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

0.95мм

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Toshiba TPH8R80ANH MOSFET

P.O.A.

Toshiba TPH8R80ANH MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

59 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOP Advanced

Серия

TPH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

8,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

61 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

0.95мм

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba