Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
59 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOP Advanced
Серия
TPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
8,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
61 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
33 нКл при 10 В
Ширина
5мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
0.95мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
59 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOP Advanced
Серия
TPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
8,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
61 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
33 нКл при 10 В
Ширина
5мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
0.95мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре