Toshiba TPH11006NL,LQ(S MOSFET

Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
U-MOSVIII-H
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
34 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5мм
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
0.95мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
U-MOSVIII-H
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
34 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5мм
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
0.95мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре