Toshiba TPC P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 8-Pin SOP TPC8125

Код товара RS: 796-5115Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TPC8125
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TPC

Тип корпуса

SOP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,9 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +20 В

Ширина

3.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

4.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.52мм

Информация о товаре

MOSFET P-Channel, TPC Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 609,20

тг 321,84 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Toshiba TPC P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 8-Pin SOP TPC8125
Select packaging type

тг 1 609,20

тг 321,84 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Toshiba TPC P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 8-Pin SOP TPC8125
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 321,84тг 1 609,20
50 - 495тг 277,14тг 1 385,70
500 - 2495тг 241,38тг 1 206,90
2500 - 4995тг 160,92тг 804,60
5000+тг 134,10тг 670,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

TPC

Тип корпуса

SOP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,9 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +20 В

Ширина

3.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

4.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.52мм

Информация о товаре

MOSFET P-Channel, TPC Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba