Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
TPC
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,9 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +20 В
Ширина
3.9мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
64 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.52мм
Информация о товаре
MOSFET P-Channel, TPC Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 1 609,20
тг 321,84 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 609,20
тг 321,84 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 45 | тг 321,84 | тг 1 609,20 |
50 - 495 | тг 277,14 | тг 1 385,70 |
500 - 2495 | тг 241,38 | тг 1 206,90 |
2500 - 4995 | тг 160,92 | тг 804,60 |
5000+ | тг 134,10 | тг 670,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
TPC
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,9 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +20 В
Ширина
3.9мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
64 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.52мм
Информация о товаре