Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
157 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
U-MOSVIII-H
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
192 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.45мм
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
15.1мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
157 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
U-MOSVIII-H
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
192 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.45мм
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
15.1мм
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
