Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
157 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
192 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
TK
Высота
15.1мм
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 947,64
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 947,64
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 947,64 | тг 4 738,20 |
25 - 245 | тг 809,07 | тг 4 045,35 |
250 - 445 | тг 710,73 | тг 3 553,65 |
450 - 895 | тг 473,82 | тг 2 369,10 |
900+ | тг 402,30 | тг 2 011,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
157 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
192 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
TK
Высота
15.1мм
Информация о товаре