Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
72 A
Максимальное напряжение сток-исток
120 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 3 683,28
тг 920,82 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)
Стандартная упаковка
4
тг 3 683,28
тг 920,82 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
4
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 4 - 16 | тг 920,82 | тг 3 683,28 |
| 20 - 36 | тг 737,55 | тг 2 950,20 |
| 40 - 96 | тг 670,50 | тг 2 682,00 |
| 100 - 196 | тг 616,86 | тг 2 467,44 |
| 200+ | тг 527,46 | тг 2 109,84 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
72 A
Максимальное напряжение сток-исток
120 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220SIS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
