Toshiba TK N-Channel MOSFET, 72 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK72A12N1,S4X(S

Код товара RS: 827-6268Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK72A12N1,S4X(S
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

72 A

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

130 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

тг 3 683,28

тг 920,82 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 72 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK72A12N1,S4X(S
Select packaging type

тг 3 683,28

тг 920,82 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 72 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK72A12N1,S4X(S

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
4 - 16тг 920,82тг 3 683,28
20 - 36тг 737,55тг 2 950,20
40 - 96тг 670,50тг 2 682,00
100 - 196тг 616,86тг 2 467,44
200+тг 527,46тг 2 109,84

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

72 A

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220SIS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

130 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba